在高溫下使摻雜金屬(又稱為合金材料)和半導(dǎo)體晶片熔成合金來(lái)制作PN結(jié)(或形成集成電路歐姆接觸)的工藝。用合金工藝制作鍺PN結(jié)的典型工藝過(guò)程，是將摻雜金屬(如In)置于表面經(jīng)過(guò)嚴(yán)格清潔處理的半導(dǎo)體晶片上(如N型Ge)，在氫氣或真空中加熱至一定溫度,并維持一定時(shí)間。

　　此時(shí)，熔化的金屬和半導(dǎo)體晶片相接觸的那一部分材料溶入熔化了的金屬中，與金屬形成合金，溫度下降后在金屬中的半導(dǎo)體材料便再結(jié)晶。再結(jié)晶的半導(dǎo)體材料中含有豐富的摻雜金屬原子，從而改變了半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型(P型)，并與原來(lái)的N型晶片形成PN結(jié)(圖1)。

　　合金法形成的PN結(jié)是突變型的。在合金工藝中精確地控制合金深度和得到平坦的PN結(jié)比較困難。因此，用合金法制成的晶體三極管往往用于低頻范圍。